SI8409DB-T1-E1
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI8409DB-T1-E1 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.11 |
10+ | $0.991 |
100+ | $0.7728 |
500+ | $0.6384 |
1000+ | $0.504 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 4-Microfoot |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 1A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.47W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 4-XFBGA, CSPBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.6A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI8409 |
SI8409DB-T1-E1 Einzelheiten PDF [English] | SI8409DB-T1-E1 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI8409DB-T1-E1Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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